项目负责人：许小红    承担单位：山西师范大学

有关电子电荷和电子自旋两种属性的研究和应用是平行发展、相互独立的。如果在一种材料中能同时利用电子的电荷和自旋属性，将会极大促进信息技术的发展。本项目在ZnO稀磁半导体薄膜及其隧道结和超高密度垂直磁记录用交换耦合梯度薄膜方面开展研究，研究提出采用非补偿性p-n共掺法来制备原子尺度均相、磁性和电阻率可调控的本征ZnO稀磁半导体薄膜，揭示掺杂ZnO稀磁半导体薄膜中载流子浓度与磁性的关系，发现Mn掺杂In2O3体系中的“开”或“关”磁性，设计并制备出晶粒细小、晶粒间交换耦合作用小、垂直取向度高的Ag/[CoPt/C]n/Ag三元系超高密度垂直磁记录薄膜，提出采用后退火法制备超高密度垂直磁记录用FeAu（软）/L10-FePt(硬)交换耦合梯度介质。本项目获得2010年度国家杰出青年科学基金资助。